产品简介
技术参数品牌：INFINEON型号：IPP60R190C6封装：TO-220批次：21+数量：16000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：600VId-连续漏极电流：20
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPP60R190C6 |
| 封装： | TO-220 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 16000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 20.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 170 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 63 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 151 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS C6 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 下降时间： | 9 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 110 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 零件号别名： | SP000621158 IPP6R19C6XK IPP60R190C6XKSA1 |
| 单位重量： | 6 g |
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