碳化硅铝散热基板的发展
散热基板是保证功率半导体器件正常工作的一类关键材料,至今经历了三代发展。以科瓦(Kovar)合金为代表的代封装合金,解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基片的匹配问题,但导热率过低;以W/Cu、Mo/Cu为代表的第二代封装合金,可以同时实现高导热与低膨胀,但价格高,比重大,难以满足轻量化要求;碳化硅/铝(SiC/Al)复合材料是第三代电子封装基板材料,具有高导热、低膨胀、轻质化的综合优势,但其制造技术被发达国家。目前,国内缺乏高性能的SiCp/Al基板的生产能力,国内功率半导体器件所需SiC/Al基板材料全部依靠进口,其中90%来自日本Denka公司,其余主要为美国CPS公司,产品热导率值170-200W/m•k、热膨胀系数值为6.0-8.0×10−6/K。
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