技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRF9Z24NPBF |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | TO-220 |
| 数量： | 50000 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级（MSL）： | 1（无限） |
| 系列： | HEXFET® |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | 过期 |
| FET类型： | 2个N沟道（双） |
| FET功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）： | 30V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）： | 3.5A |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）： | 100毫欧@2.2A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（值）： | 1V@250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 14nC@10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）： | 190pF@15V |
| 功率（值）： | 2W |
| 工作温度： | -55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装(SMT) |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
| 供应商器件封装： | 8-SO |
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