技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRFB4229PBF |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | TO-220 |
| 数量： | 50000 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级（MSL）： | 1（无限） |
| 制造商标准提前期： | 14 周 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | 在售 |
| FET类型： | N沟道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss）： | 200V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）： | 43A（Tc） |
| 驱动电压（RdsOn，最小RdsOn）： | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（值）： | 5V@250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 91nC@10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）： | 2900pF@25V |
| 栅源电压 Vgss： | ±20V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 3.8W（Ta），300W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）： | 54毫欧@26A，10V |
| 工作温度： | -55°C~175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔(THT) |
| 供应商器件封装： | TO-220AB |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
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