产品简介
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD18543Q3A批号:21+封装:VSONP-8数量:3000QQ:制造商:TexasInstruments系列:NexFET™FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)驱动电压(RdsOn
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技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | CSD18543Q3A |
批号: | 21+ |
封装: | VSONP-8 |
数量: | 3000 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
系列: | NexFET™ |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | ,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
FET 功能: | 标准 |
功率耗散(值): | 66W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1150 pF @ 30 V |
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