技术参数
品牌: | ON安森美 |
型号: | FDD8453LZ-F085 |
封装: | TO-252 |
批号: | 21+ |
数量: | 10000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 60 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 118 W |
资格: | AEC-Q101 |
商标名: | PowerTrench |
配置: | Single |
高度: | 2.39 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | FDD8453LZ_F085 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值: | 91 S |
下降时间: | 7 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 10 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 43 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
零件号别名: | FDD8453LZ_F085 |
单位重量: | 260.370 mg |
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