类别 | 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR)剪切带(CT) |
Product Status | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) | 2V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) | 53 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值) | 1.1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) | 49 nC @ 10 V |
Vgs(值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) | 1320 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(值) | 2.77W(Ta),13W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-microfoot |
封装/外壳 | 6-UFBGA |
基本产品编号 | SI8497 |
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