静电放电发生器模拟器(HBM/MM部分)EDS 10IC针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时*上述所有标准中最严酷等级的静电电压要求。

特点：
>全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。
>自动识别阻容模块，并调整电压。
>电压5V，1V步进精准调节电压
>可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。

测试连接示意图1  EDS-HBM：

测试连接示意图2  EDS-MM:

静电放电发生器模拟器(HBM/MM部分)EDS 10IC

• Human Body Model (HBM)
• Machine Model (MM)
• ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
• JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
• ANSI /ESD-STM5.1 2007
• MIL-STD-883G 28 Feb.2006
• ANSI/JEDEC JS-001-2010
• JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

  技术参数
  HBM 短路电流参数
  放电电容	100pF
  放电电阻	1500W
  峰值电流Ips	0.17A+10% @250V 0.33A+10% @500V 0.67A+10% @1000V 1.33A+10% @2000V 2.67A+10% @4000V
  上升时间	2～10ns
  脉冲宽度	150 + 20ns
  振铃幅度	<15%峰值电流
  HBM 500欧电阻电流参数
  峰值电流Ipr	375～550mA @ 1000V 1.5～2.2A  @ 4000V
  Ipr/Ips	≥ 63%
  上升时间	5～25ns
  MM短路电流参数
  放电电容	200pF
  放电电阻	0W
  峰值电流Ip1	0.44A+20% @25V 0.88A+20% @50V 1.75A+10% @100V 3.5A+10%  @200V 7.0A+10%  @400V
  Ip2/Ip1	67%～90%
  周期	66～90ns
  MM 500欧电阻电流参数
  峰值电流Ipr	0.85～1.2A @ 400V
  100ns电流值 I100	0.23～0.40A @ 400V
  I200/I100	30%～55%