产品简介
技术参数品牌:IR型号:IRFB23N15DPBF批号:1833封装:TO-220数量:30000QQ:制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):23A(Tc)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IRFB23N15DPBF |
批号: | 1833 |
封装: | TO-220 |
数量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 90 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
Vgs(值): | ±30V |
功率耗散(值): | (Ta),136W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
漏源电压(Vdss): | 150V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 56nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1200pF @ 25V |
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