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Infineon英飞凌模块选型参考

2023年01月05日 15:39:25      来源:北京健科芯坤科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:15

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Infineon英飞凌模块型号解读

  FZ:一单元模块
  FF:两单元模块(半桥模块)
  FP:七单元模块(功率集成模块)
  FD/DF:斩波模块
  F4:四单元模块
  FS:六单元模块
  DD:二极管模块
  400:Tc=80°C时的额定电流
  R:逆导型
  S:快速二极管
  12:额定电压×100
  KF:高频型(主要在大模块上使用)
  KL:低饱和压降(主要在大模块上使用)
  KS:短拖尾高频型
  KE:低饱和压降
  KT:低饱和压降高频型

Infineon英飞凌IGBT模块的开关频率

DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V
DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V
KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V
KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V
KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V


英飞凌IGBT模块

600V

半桥(2单元)

三相桥(6单元)

三电平模块

 

H桥(4单元)

整流桥+三相桥(PIM)

斩波模块

 

1200V

单管(1单元)

三相桥(6单元)

三电平模块

 

半桥(2单元)

十二单元(12单元)

斩波模块

 

H桥(4单元)

整流桥+三相桥(PIM)

 

 

1600-1700V

单管(1单元)

三相桥(6单元)

二极管模块

 

半桥(2单元)

斩波模块

 

 

3300V

单管(1单元)

斩波模块

 

半桥(2单元)

二极管模块

 

4500V

单管(1单元)

 

6500V

单管(1单元)

斩波模块

二极管模块

 

Infineon英飞凌IGBT单管(分立元件)

600V

Fast

IGBT

TrenchStop

HighSpeed

 

650V

TrenchStop 5

 

1200V

Fast

IGBT

TrenchStop

 

RC-Drives

RC-Drives

 

Infineon英飞凌 二极管(分立元件)

快恢复

600V

1200V

 

碳化硅

600V

650V

 

Infineon英飞凌MOS管

OptiMOS

60V

75V

80V

100V

120V

150V

200V

250V

 

CoolMOS

500V

600V

650V

800V

900V

 

Infineon英飞凌汽车电子元件

汽车专用MOS

30V

40V

55V

60V

75V

100V

 

汽车专用IGBT

HybridPACK

 

Infineon英飞凌单片机(MCU)

8

XC83x

XC866

XC886

XC878

XC888

 

16

XC164CS

XC167CI

XE160xU

 

XE162xL

XE162xN

XE164xN

 

XE167xM

XE167xH

XE167xM

 

32

XMC4500

 

Infineon英飞凌驱动IC及驱动板

200V

200V

 

600V

600V

 

1200V

1200V

 

Infineon英飞凌晶闸管&极管(圆饼)

整流(D)

800V

1800V

3000V

5000V

10000V

快速整流(D)

1400V

2600V

6000V

焊接(D)

焊接二极管

IGCT(D)

IGCT 二极管

GTO续流(D)

GTO续流二极管

单项(T)

600V

1800V

3300V

500V

5500V

10000V

光控(T)

光控晶闸管

Infineon英飞凌晶闸管&二极管(模块)

晶闸管(模块)

相控晶闸管模块

相控单个晶闸管模块

 

二极管(模块)

快速二极管模块

整流二极管模块

 

晶闸管+二极管(模块)

相控二极管晶闸管模块

相控晶闸管二极管模块

 

Infineon英飞凌整流桥

800V

交流开关

 

1600V

不控整流桥

半控整流桥

全控桥

 

 

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