半导体放电管的选用方法

选用半导体放电管应注意以下几点:

1.反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的工作电压。如在POTS应用中，振铃电压(150V)的峰值电压（150*1.41=212.2V）和直流偏压峰值（56.6V）之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，DC电压（150V）和信号电压（3V）之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

2.转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压。

3.若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH >（系统电压/源阻抗）。

4.瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68 A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。

5.半导体放电管处于导通状态（导通）时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm＝KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波 K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。