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实验室一维亥姆霍兹线圈技术参数

2025年04月21日 16:28:16      来源:北京锦正茂科技有限公司 >> 进入该公司展台      阅读量:29

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实验室一维亥姆霍兹线圈技术参数

 产品概述:

实验室一维亥姆霍兹线圈技术参数 典型的单轴亥姆霍兹线圈是具有相同线圈匝数,相同线圈绕制方式,线圈半径等于线圈间距的两个线圈组成的。亥姆霍兹线圈一般用来产生体积比较大、均匀度比较高, 但磁场值比较弱的磁场。用户可以利用这个磁场来完成各种实验,亥姆霍兹线圈可根据不同的应用产生静态DCAC磁场。

   主要用途地球磁场的抵消、判定磁屏蔽效应、电子设备的磁化系数、磁通门计和航海设备的校准、生物磁场的研究及与磁通计配合使用检测永磁体特性。适用于各研究所,高等院校及企业做物质磁性或检测实验,应用于材料、电子、生物、医疗、航空航天等领域。

 锦正茂科技有限公司拥有自己的磁场开发团队,在亥姆霍兹线圈的设计方面具有丰富的经验,生产的亥姆霍兹线圈及高稳定性电源(10PPM)的质量和稳定性具有其它厂家的性。可为您提供一维,二维和三维的亥姆霍兹线圈,目前相继开发设计出:圆形、方形、和八边形亥姆霍兹线圈,同时借助有限元设计工具,开发了补偿式八边形亥姆霍兹线圈,将线圈均匀区提高了八倍。所涉及的线圈可以是固定的,也可以是旋转的,所产生的磁场的范围可以从几百nT到上千高斯,磁场的均匀度在均匀区内zui高可以达到万分之一。您可以将您的要求反馈给我们,我们可以根据您的设计要求进行仿真计算设计。所有特殊的安装要求应该在应用中注明。相信我们的技术,设计思想和我们的制造工艺能给您提供满意的产品和上等的服务。
 一维方形亥姆霍兹线圈JF1200

技术指标:

线圈内空直径约145mm,线圈外直径约240mm

线圈绕线线径1.5mm,线圈电阻3欧姆;

线圈输入电流5A时,对应线圈中心磁场不低于100Gs

线圈均匀度1%时,对应线圈中心均匀区域大小优于40*40*40mm

线圈均匀度0.5%时,对应线圈中心均匀区域大小优于32*32*32mm


一维方形线圈不同型号技术指标

 

型号

边长

磁场值(Gs)

0.5%均匀区

1%均匀区

2%均匀区

5%均匀区

JF1200

1200

2/5/10/12

180*180*180

230*230*230

270*270*270

350*350*350

JF1600

1600

2/5/8/9.5

240*240*240

300*300*300

360*360*360

460*460*460

JF2000

2000

2/5/7.5

300*300*300

380*380*380

450*450*450

580*580*580

JF2400

2400

2/5/6.5

360*360*360

450*450*450

540*540*540

700*700*700

JF2800

2800

1/3/5.5

430*430*430

530*530*530

630*630*630

820*820*820

JF3000

3000

1/3/5

450*450*450

570*570*570

680*680*680

880*880*880

 

 

 

 

 

 

 

 

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