高阻型霍尔效应测试系统的技术指标

高阻型霍尔效应测试系统的技术指标：

* 磁 场：10mm 间距为 2T ；30mm 间距为 1T

* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)

* 测量电压：0.1uV~30V

* 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁场范围：0-1T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

* 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线

* 电阻率范围：5*10^-4~10⁸Ω.cm

* 电阻范围：10 mΩ-100GΩ

* 载流子浓度：6*10⁸~10²³cm^-3

* 迁移率：1~10⁶cm²/vs

* 控温精度: 0.1K

* 温区：4K-773K（选配）

* 霍尔系数：±1*10^-5~±1*10¹⁰cm³/C

* 测试全自动化，一键处理

* 可实现相同温差间的连续测量

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各系统参数：

高精度电磁铁

极头直径 100mm;

N，S 间距 10mm 时*大磁场 20000Gs;

N，S 间距 20mm 时*大 13000 高斯;

N, S 间距 30mm 时*大磁场 10000 高斯;

均匀区：间距 60mm 时直径 10mm均匀度范围; 1%

自重 110 公斤 含支架及轮子

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高精度双极性恒流电源

输出： ±10A±80V 功率；800W

① 电源输出电流可在正负额定*大电流之间连续变化

② 电流可以平滑过零点，非开关换向

③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载）

④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定*大输出电流）

※ 电流稳定度高，纹波低

①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型）

② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA）

③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA

④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量）

⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量）

⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA

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高精度高斯计：

精度：读数的±0.30% ;

分辨力：0.01mT 量程:0-3T ;

探头厚度:1.0mm ;

长度 100mm 数字;

Rs-232 接口数据读取软件配 GP3 型探头

高斯计探头支架及样品架 全铝非导磁支架 5-70mm 可调

样品架夹具（按要求定制）

霍尔效应系统软件 可数字化调节磁场及电流,测试各类材料参数

高温恒温器： （293K-470K）高低温真空容器

TESK301恒温仪： 控温（65k-600k)

真空泵 K25 真空泵

恒流源及测试表

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范围内连续可调；

高精度电压数采仪范围 0. 1uV-30V

精度：0.01%

内置测试矩阵转换卡；

欧姆接触套件 根据不同材料的欧姆接触制作套件

系统组成：

  高阻霍尔效应测试系统由电磁铁、真空泵、高温真空腔、高斯计、恒流源、电磁铁电流源、控温仪和计算机及软件组成。其中，电磁铁电流源给电磁铁提供电流产生磁场；高斯计测量电磁铁产生的均匀磁场值；恒流源一方面给样品提供样品测试电流，用于霍尔效应测试，一方面用来测量样品反馈的霍尔电压；被测样品置于高温真空腔中，由高温胶固定，并作为四个测试点；高温真空腔引出 4 根导线，两个连接控温仪进行温度的测量及控制，另 1 根是高温探头引线连接到高斯计上，还有 1 根是霍尔样片连接线连接到恒流源上；计算机连接高斯计、控温仪、恒流源和电磁铁电流源，通过软件实现控制通过被测样品的电流和磁场值，并获取测得的电压值。

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可测试材料: Ø

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等

高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

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