化学机械抛光是目前常见的半导体材料表面平面技术，它是机械摩擦与化学腐蚀相结合了两者优点的工艺；可以获得较为的晶片表面。硅片在采用陶瓷抛光机进行抛光工序时，影响加工过程中去除速率与加工表面质量的因素以以下几点为主：

化学因素其中包含着：抛光液中的PH值、抛光液的浓度值、流量抛光过程中控制的温度。其中以抛光液中的PH值对去除率影响显著。有实验表明随着抛光液的PH值增大，抛光去除率逐步提高，但是当PH值达到一定值后，去除率会迅速降低，而且表面质量也有所下降。所以在硅片抛光过程中选择适当的PH值是重要的参数之一。

在硅片抛光时压力过小会使机械抛光与化学抛光速度不均衡，形成边缘腐蚀过快，中间腐蚀慢造成表面平整度下降，当机械抛光速度小于化学抛光速度时，就会出现桔皮波纹或者腐蚀坑等。反之，压力过大机械抛光速度大于化学抛光速度，表面的平整度提高后则容易出现划伤，或抛光过程中容易碎片等现象；选择适当的抛光压力也是硅片加工过程中的重要参数之一。

在抛光过程中抛光垫可以使抛光液均匀分布并且能提供新的抛光液补进，同时排出化学反应产生的异物。在抛光过程中起到稳定性、均匀性与重复性的作业。抛光垫材料选用也是很重要的参数之一。