忆阻器基础研究测试方案

高性价比测试方案

端化表征测试方案

（二）忆阻器性能研究测试

忆阻器性能研究测试流程如下：

非易失存储器性能研究是通过测试忆阻器的循环次数或耐久力（Endurance）和数据保留时间（Data Retention）来实现。在循环次数和耐久力测试中，电阻测试通常由带脉冲功能的半导体参数测试仪完成，由于被测样品数量多，耗时长，需要编程进行自动化测试。端化表征情况下，SET/ RESET 脉冲由高速任意波发生器产生。

如果忆阻器被用于神经元方面的研究，其性能测试除了擦写次数和数据保留时间外，还需要进行神经突触阻变动力学测试。突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础，有很多种形式。按记忆的时间长短可分为短时程可塑性 (STP)和长时程可塑性 (LTP)，其中短时程可塑性包括双脉冲抑制 (PPD)、双脉冲易化 (PPF)、强直后增强 (PTP)。此外还有一些其他的可塑性, 如: 放电速率依赖可塑性 (SRDP)、放电时间依赖可塑性 (STDP)等，它们是突触进行神经信号处理、神经计算的基础。

忆阻器的导电态可以用来表示突触权重的变化，通过改变刺激脉冲电压的形状、频率、持续时间等参数来模拟不同突触功能相应的神经刺激信号的特点，测量瞬态电流可以了解阻变动力学过程，获得神经形态特性的调控方法。同循环次数和耐久力测试相同，需要对带脉冲功能的半导体参数测试仪或高速任意波发生器编程产生相应的脉冲序列，进行自动化测试。

忆阻器性能研究测试方案