材料的抗电强度主要用材料的耐电强度来表示，其数值等于相应的击穿场强E穿。它除取决于材料的组成与结构外，主要受外界环境对E穿的影响。

   首先是温度的影响，温度对电击穿影响不大，因为在电击穿过程中，电子的运动速度、粒子的电离能力等均与温度无关，因此在电击穿的范围内温度的变化对E穿没有什么影响。

   温度对热击穿影响较大，首先温度升高使材料的漏导电流增大，这使材料的损耗增大，发热量增加，促进了热击穿的产生。此外，环境的温度升高使元器件内部的热量不容易散发，进一步加大了热击穿的倾向。

   温度升高使材料的化学反应加速，促使材料老化，从而加快了化学击穿的进程。

   从前面对介质损耗的讨论可知，频率对介质的损耗有很大影响。而介质损耗是热击穿产生的主要原因，因此频率对热击穿有很大的影响。在一般情况下，如果其他条件不变，则E穿与频率ω的平方根成反比，即

式中，A是决定于试样形状和大小、散热条件及ε等因素的常数。

1、TVS瞬间抑制防护技术：

电压击穿试验仪大都采用的光耦隔离方式，但光耦与隔离无非是提高的采集的抗干扰处理,对于电弧放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到任何作用。华测独立开发的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的稳定防护。

2、多级循环电压采集技术：

材料击穿后，瞬间放电速度约为光速的1/5～1/3,通用的方法为压降法进行采集击穿电压。即变压器的次级电压瞬间下降一定比率来判别材料是否击穿。显然记录击穿电压值产生偏差。而采用多级循环采集技术对击穿后的电压采集将解决此难题。

3、双系统互锁技术及隔离屏蔽技术：

采用双系统互锁技术应用于电击穿仪器，华测生产的电压击穿仪器不仅具备过压、过流保护系统，它的双系统互锁机制，当任何元器件出现问题或单系统出现故障时，将瞬间切断高压。将起到对设备及试验人员的系统防护。