产品简介
技术参数品牌:英飞凌|Infineon型号:IPL60R180P6批号:2020封装:PG-VSON-4数量:99999QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:ThinPAK-5通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:22
详情介绍
技术参数
品牌: | 英飞凌 | Infineon |
型号: | IPL60R180P6 |
批号: | 2020 |
封装: | PG-VSON-4 |
数量: | 99999 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | ThinPAK-5 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 162 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 44 nC |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 176 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
长度: | 8 mm |
系列: | CoolMOS P6 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 8 mm |
下降时间: | ns |
湿度敏感性: | Yes |
上升时间: | ns |
典型关闭延迟时间: | 40 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
零件号别名: | IPL60R180P6AUMA1 SP001017098 IPL60R180P6AUMA1 |
单位重量: | mg |
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