产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMS86101封装:POWER56批次:20+数量:5600制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Power-56-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:12
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FDMS86101 |
封装: | POWER56 |
批次: | 20+ |
数量: | 5600 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | Power-56-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 55 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | 6 mm |
系列: | FDMS86101 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
下降时间: | 7 ns |
上升时间: | 11 ns |
典型关闭延迟时间: | 27 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
单位重量: | mg |
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