产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI1012CR-T1-GE3封装:SOT-523批次:21+数量:5000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI1012CR-T1-GE3 |
封装: | SOT-523 |
批次: | 21+ |
数量: | 5000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | , |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 396 毫欧 @ 600mA, |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 2 nC @ 8 V |
Vgs(值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 43 pF @ 10 V |
功率耗散(值): | 240mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-75,SOT-416 |
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