产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:2N7000TA封装:TO92批次:20+数量:3000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-92-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:200mARdsOn-漏源导通电阻:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | 2N7000TA |
封装: | TO92 |
批次: | 20+ |
数量: | 3000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-92-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 200 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 400 mW |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | 2N7000 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
正向跨导 - 最小值: | S |
下降时间: | 10 ns |
上升时间: | 10 ns |
典型关闭延迟时间: | 10 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
单位重量: | 201 mg |
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