产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI7911DN-T1-E3批号:21+封装:QFN-8数量:18000QQ:描述:MOSFET2P-CH20V4
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7911DN-T1-E3 |
批号: | 21+ |
封装: | QFN-8 |
数量: | 18000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
详细描述: | MOSFET-阵列-2-个-P-沟道(双)-20V-4.2A-1.3W-表面贴装型-PowerPAK®-1212-8-双 |
数据列表: | SI7911DN; |
标准包装: | 1 |
包装: | 剪切带(CT) |
零件状态: | 停產 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | TrenchFET® |
其它名称: | SI7911DN-T1-E3CT |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 4.2A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 51 毫欧 @ 5.7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | - |
功率 - 值: | 1.3W |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 双 |
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