技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMTH8012LPS-13 |
批号: | 21+ |
封装: | 原厂原封 |
数量: | 5500 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerDI5060-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 80 V |
Id-连续漏极电流: | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 17 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 34 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 136 W |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
系列: | DMTH8012 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | Diodes Incorporated |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 96 mg |
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