技术参数
品牌: | TI |
型号: | LM311DR |
封装: | 8-SOIC |
批次: | 21+ |
数量: | 8900 |
制造商: | Texas Instruments |
输出类型: | MOS,开路集电极,开路发射极,TTL |
电压 - 供电,单/双 (±): | 3.5V ~ 30V,±1.75V ~ 15V |
电压 - 输入补偿(值): | 7.5mV @ ±15V |
电流 - 输入偏置(值): | 0.25µA @ ±15V |
电流 - 静态(值): | 7.5mA |
工作温度: | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
安装类型: | 表面贴装型 |
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