技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IRF7476TRPBF |
封装: | SOP-8 |
批次: | 21+ |
数量: | 8000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 12 V |
Id-连续漏极电流: | 15 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 8 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.9 V |
Qg-栅极电荷: | 40 nC |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.5 W |
配置: | Single |
高度: | 1.75 mm |
长度: | 4.9 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 3.9 mm |
正向跨导 - 最小值: | 31 S |
下降时间: | 8.3 ns |
上升时间: | 29 ns |
单位重量: | 540 mg |
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