您好,欢迎来到全球装备网!请 |免费注册

产品展厅本站服务收藏该商铺

筱晓(上海)光子技术有限公司

免费会员
手机逛
筱晓(上海)光子技术有限公司

Product Display

产品展示

当前位置:筱晓(上海)光子技术有限公司>>加工定制产品>>大型仪器设备>> 无掩膜数字光刻机 波长365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

无掩膜数字光刻机 波长365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

产品二维码
参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:
  • 品牌:
  • 产品类别:五金配件包装
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2024-04-09 08:36:02
  • 浏览次数:2
收藏
举报

联系我时,请告知来自 全球装备网

筱晓(上海)光子技术有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:3729条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2014-11-06
  • 最近登录:2022-09-13
  • 联系人:筱晓光子-Daisy
产品简介

筱晓光子无掩膜数字光刻机MCML-110A总览产品特点采用数字微镜(DMD)的无掩膜扫描式光刻机,365nm波长直接从数字图形生成光刻图案,免去制作掩模板的中间过程,支持直接读取GDSII和BMP文件全自动化的对焦和套刻,易于使用晶圆连续运动配合DMD动态曝光,无拼接问题

详情介绍
 

筱晓光子 无掩膜数字光刻机 MCML-110A




总览

产品特点

采用数字微镜 (DMD) 的无掩膜扫描式光刻机,365nm波长

直接从数字图形生成光刻图案,免去制作掩模板的中间过程,支持直接读取GDSII和BMP文件

全自动化的对焦和套刻,易于使用

晶圆连续运动配合DMD动态曝光,无拼接问题。全幅面定位精度0.1um

套刻精度: 0.2um

500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圆),满幅面曝光时间5~30分钟

500um小线宽

可灰度曝光(128阶)

尺寸小巧,可配合用循环装置产生内部洁净空间

 

 
通用参数

应用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工

带有2.5D图案的微光学元件,衍射光器件制作

 教学、科研

 

参数

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波长

365nm

365nm

Max. frame 大帧

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

对准精度

<200nm

<100nm

field curvature

场曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm/sec

2.5mm/sec

Input file

输入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

环境

20~25℃

20~25℃

 

样品


 

 

 

(SU8-2002, 2um胶厚,2寸硅基底)






 


总览

产品特点

采用数字微镜 (DMD) 的无掩膜扫描式光刻机,365nm波长

直接从数字图形生成光刻图案,免去制作掩模板的中间过程,支持直接读取GDSII和BMP文件

全自动化的对焦和套刻,易于使用

晶圆连续运动配合DMD动态曝光,无拼接问题。全幅面定位精度0.1um

套刻精度: 0.2um

500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圆),满幅面曝光时间5~30分钟

500um小线宽

可灰度曝光(128阶)

尺寸小巧,可配合用循环装置产生内部洁净空间

 

 
通用参数

应用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工

带有2.5D图案的微光学元件,衍射光器件制作

 教学、科研

 

参数

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波长

365nm

365nm

Max. frame 大帧

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

对准精度

<200nm

<100nm

field curvature

场曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm/sec

2.5mm/sec

Input file

输入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

环境

20~25℃

20~25℃

 

样品


 

 

 

(SU8-2002, 2um胶厚,2寸硅基底)

更新时间:2023/5/24 17:35:26

上一篇: 近红外TDLAS NH3氨气ppm浓度分析系统 1
下一篇: 采用Glan-Taylor偏振器的高功率衰减器
我要评论
文明上网,理性发言。(您还可以输入200个字符)

所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。

请选择省份

  • 安徽
  • 北京
  • 福建
  • 甘肃
  • 广东
  • 广西
  • 贵州
  • 海南
  • 河北
  • 河南
  • 黑龙江
  • 湖北
  • 湖南
  • 吉林
  • 江苏
  • 江西
  • 辽宁
  • 内蒙古
  • 宁夏
  • 青海
  • 山东
  • 山西
  • 陕西
  • 上海
  • 四川
  • 天津
  • 新疆
  • 西藏
  • 云南
  • 浙江
  • 重庆
  • 香港
  • 澳门
  • 台湾
  • 国外
=
同类优质产品

在线询价

X

已经是会员?点击这里 [登录] 直接获取联系方式

会员登录

X

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏!
标签:
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~