垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二管）和LD（激光二管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。
应用
原子钟
磁力计
特点:
包装: 裸片
芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器
激光波长: 894.6 nm
辐射剖面: 单模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
大额定值
Ta = 80°C
| 参数 | 符号 | 值 | |
| 操作/焊接温度 DC = 99% | TS | 小值 大值 | -20°C 110°C |
| 储存温度 | Tstg | 小值 大值 | -40°C 125°C |
| 正向电流（保持单模） 直流操作; DC = 99%; TS = 75°C | If | 大值 | 1.5 mA |
| 正向电流 直流操作; DC = 99%; TS = 75°C | If | 大值 | 3 mA |
| 反向电压 | 不适合反向操作 | ||
| ESD 耐电压 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 大值 | 250 V |
注意:超出大额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。
特点
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 99% - Group 3
| 参数 | 符号 | 值 | |
| 正向电流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
| 输出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
| 阈值电流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
| 斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
| 单模抑制比 | SMSR | 小值 | 20 dB |
| 偏振消光比5) | PER | 小值 | 15 dB |
| 峰值波长 | λpeak-v | 小值 典型值 大值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
| 光谱线宽度 | Λlinewidth | 大值 | 100 MHz |
| 调频调制带宽 | Fm | 小值 | 4.6 GHz |
| 波长温度系数 | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
| 半峰全宽处视场(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
| 1/e2处 视场 | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。
相对光谱发射 1)
辐射特征 1)
正向电流 1) 2)
光输出功率 1) 2)
尺寸图 ,单位 um)
更新时间：2023/5/24 17:35:35
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