PH780DBR系列高功率边发射激光器基于Photodigm的单频激光技术。它提供衍射受限的单横向和纵向模式光束。端面经过钝化处理，具有高功率和高可靠性。该装置应用于以铷基光电材料的原子光谱学中。
技术
DBR单频激光芯片
砷化铝镓量子阱（QW）AlGaAs QW 有源层
Epi设计，可靠性高
特征
多种封装样式可供选择
短脉冲长度下的脉冲操作，确保光谱稳定性
适用于 CW 应用的高功率
高斜率效率
大额定参数
| 参数 | 符号 | 单位 | 小值 | 大值 |
| 储存温度 | TSTG | °C | 0 | 80 |
| 工作温度 | TOP | °C | 5.0 | 70 |
| 连续波激光正向电流, T=Top | IF | mA | - | ~150** |
| 脉冲激光正向电流, T=25°C, | IF | A | - | 0.3 |
| PW=300 ns, DC=10% | ||||
| 激光器反向电压 | VR | V | - | 0.0 |
| 光电二管正向电流1/2/ | IP | mA | - | 5.0 |
| 光电二管反向电压 1/2/ | VR | V | - | 20.0 |
| 光电二管暗电流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | 50 |
| 制冷器电流 1/2/ | ITEC | A | -1.8 | 1.8 |
| 制冷器电压 1/2/ | VTEC | V | -1.9 | 1.9 |
| 热敏电阻电流 1/2/ | ITHRM | mA | - | 1.0 |
| 热敏电阻 1/2/ | VTHRM | V | - | 10 |
| 外部背反射 | - | dB | - | -14 |
| 焊接温度, 10 sec. Max.1/2/ | - | °C | - | 260 |
| 光纤牵引力 1/ | - | N | - | 5.0 |
| 光纤弯曲半径 1/ | - | mm | - | 35 |
1/ 蝶形封装 2/ TO8 封装 **不超过所提供的LIV的驱动电流或操作功率
TC = 25°C时的连续波特性
| 参数 | 符号 | 单位 | 小值 | 典型值 | 大值 |
| 中心波长 | λc | nm | 778 | 780 | 782 |
| 光输出功率 @ LIV 电流 | Po | mW | 请参阅Power Options Call-out | ||
| 斜率效能, 1/ | ηd | W/A | 0.25 | 0.36 | |
| 斜率效能 | ηd | W/A | 0.60 | 0.75 | - |
| 阈值电流 | Ith | mA | - | 50 | 70 |
| 激光器串联电阻 | RS | Ω | - | 2.0 | 2.5 |
| 激光正向电压 | VF | V | - | 2.0 | 2.5 |
| 热敏电阻阻抗 @ 25°C, 1/2/ | RT | KΩ | - | 10 | - |
| 光电二管暗电流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | - | 50 |
| 激光线宽 | ∆v | MHz | - | 0.5 | 1 |
| 偏振消光比, 1/ | PER | dB | -16 | -19 | - |
| 光束发散度 @ 半峰全宽 | θװ X θ┴ | º | - | 6 X 26 | 8 X 28 |
| 边模抑制比 | SMSR | dB | -30 | - | - |
| 激光偏振 | TE | ||||
| 模结构 | 基谐模 | ||||
1/ 蝶形封装 2/ TO-8 封装
操作注意事项
这些设备对静电敏感。操作模块时，必须使用接地工作区和防静电手环。务必储存在防静电容器中，所有导线短接在一起。
如何订购
产品型号示例:PH780DBR080CM。所有的功率输入都使用三位数的格式。请致电工厂对某些原子吸收线进行特殊性能选择和认证。蝶形封装只提供20mW的功率，不建议用于光谱学应用。请参阅Photodigm的应用说明，标题为 "光学反馈"
更新时间：2023/5/24 17:35:35
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