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新洁能 NCE30H32WD N沟道 TO-263T封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE30H32WD 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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新洁能 NCE3060G N沟道 DFN5X6-8L封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE3060G 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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CS12N80FA9RD 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS12N80FA9RD 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CS12N80FA9RD SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS12N80FA9RD，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能增强雪崩能量对比
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新洁能 NCE8601B* N沟道 TSSOP-8封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE8601B* 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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新洁能 NCE01P13* P沟道 TO-220封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE01P13* 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 世界那么大对比
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新洁能 NCE40H12 N沟道 TO-220封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE40H12 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 世界那么大对比
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华晶 CS21N03AQ2-1 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS21N03AQ2-1 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 华晶CS21N03AQ2-1 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS21N03AQ2-1，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能增强雪崩能量对比
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新洁能 NCE20P09S P沟道 SOP-8封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE20P09S 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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新洁能 NCE65R2K4K N沟道 TO-251封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE65R2K4K 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 15 世界那么大对比
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TO-247封装 1700V/3A 高压MOS管 CS3N170AKR-G 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS3N170AKR-G 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 世界那么大对比
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TO-251封装 1000V/2A 高压MOS管 CS2N100A3R* 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS2N100A3R* 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 12 世界那么大对比
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新洁能 NCE65R180T N沟道 TO-251封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE65R180T 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 6 世界那么大对比
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TO-251封装 1000V/2A 高压MOS管 CS2N100B3R* 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS2N100B3R* 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 世界那么大对比
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新洁能 NCE0208IA N沟道 TO-252封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE0208IA 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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华晶 CS7N065AE-G-1 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS7N065AE-G-1 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 华晶CS7N065AE-G-1 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS7N065AE-G-1,，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和增强性能雪崩能量对比
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华晶 CRSS045N07N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRSS045N07N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 11 华晶CRST048N07N,CRSS045N07NSkyMOS1N-MOSFET70V,3对比
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华晶 CS70N06A4 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS70N06A4 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 11 华晶CS70N06A4 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS70N06A4，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能和EN雪崩能量对比
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CS10N70FA9R 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS10N70FA9R 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 9 CS10N70FA9R,thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnologywhichreducetheconductionloss,improveswitchingperformanceandenhancetheavalancheenergy对比
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新洁能 NCE90R1K2F N沟道 TO-252封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE90R1K2F 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 世界那么大对比
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新洁能 NCE0107AK N沟道 SOP-8封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE0107AK 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 6 世界那么大对比
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TO-92 华润华晶 双极管二极管 3DD4513A1D 参考价 ￥面议
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品牌 型号 3DD4513A1D 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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华晶 CS100N08A0 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS100N08A0 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 5 华晶CS100N08A0SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS100N08A0，硅N通道增强VDMOSFET，是通过*的沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量对比
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TO-220 华润华晶 双极管二极管 3DD13009A8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 3DD13009A8 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 世界那么大对比
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华晶 CRTT084N08N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRTT084N08N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CRTT084N08NTrenchN-MOSFET80V,6对比
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新洁能 NCE40TD60T N沟道 TO-247封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE40TD60T 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 13 世界那么大对比
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新洁能 NCE90R1K2K N沟道 TO-251封装 场馆效应 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NCE90R1K2K 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 12 世界那么大对比
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华晶 CS105N08B8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS105N08B8 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 9 华晶CS105N08B8SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS105N08B8，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量对比
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华晶 CRST030N10N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRST030N10N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 华晶CRST030N10N,CRSS028N10NSkyMOS1N-MOSFET100V,2对比
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飞捷士 CS100N08A8 华润华晶 TO-220AB 代理商分销商 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS100N08A8 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 12 华晶CS100N08A8SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS100N08A8，硅N通道增强VDMOSFET，是通过*的沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量对比
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TO-92 华润华晶 双极管二极管 3DD13002B1-7 参考价 ￥面议
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品牌 型号 3DD13002B1-7 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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华晶 CRST025N08N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRST025N08N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CRST025N08N对比
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华晶 CRSS028N10N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRSS028N10N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CRST030N10N,CRSS028N10NSkyMOS1N-MOSFET100V,2对比
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TO-220 华润华晶 双极管二极管 3DD13007Y8 参考价 ￥面议
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品牌 型号 3DD13007Y8 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 世界那么大对比
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TO-126F 华润华晶 双极管二极管 3DD13005F7 参考价 ￥面议
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品牌 型号 3DD13005F7 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 世界那么大对比
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华晶 CRTT360N20N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRTT360N20N 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 10 华晶CRTT360N20NTrenchN-MOSFET200V对比
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华晶 CRSM072N10N2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRSM072N10N2 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 9 华晶CRSM072N10N2一般描述：CS7N065AE-G-1，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和增强性能雪崩能量对比
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华晶 CRSE100N10L2X 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CRSE100N10L2X 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 华晶CRSE100N10L2XSkyMOS2N-MOSFET100对比
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华晶 CS120N10AR 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS120N10AR 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 8 华晶CS120N10ARSiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS120N10AR是硅N通道增强VDMOSFET，是通过*的沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量对比
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CS10N40A8R 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS10N40A8R 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CS10N40A8R SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS10N40A8R，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和e 雪崩能量对比
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华晶 CS7N10AQ2-1 参考价 ￥面议
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品牌 型号 CS7N10AQ2-1 类型 绝缘栅(MOSFET) 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-22 浏览次数 7 华晶CS7N10AQ2-1SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述CS7N10AQ2-1,采用高密度沟槽技术，降低了导电损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量，得到了硅N通道增强VDMOSFET对比
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