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SVF10N70F/FJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造
SVF10N70F/FJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
主要特点
10A，700V，RDS(on)(典型值)=0.95Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
飞捷士专业的功率器件专家，如有更多问题请可以与我们联系：
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