SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
主要特点
10A,700V,RDS(on)(典型值)=0.95Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
飞捷士专业的功率器件专家,如有更多问题请可以与我们联系:
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