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当前位置:深圳市芯创睿科技有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> FDN338PON/安森美 场效应管 FDN338P 表面贴装型 P 通道 20 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3

ON/安森美 场效应管 FDN338P 表面贴装型 P 通道 20 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:FDN338P
  • 品牌:
  • 产品类别:绝缘栅双极晶体管/IGBT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-10-23 17:14:46
  • 浏览次数:4
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1183条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-10-23
  • 最近登录:2023-10-23
  • 联系人:李经理
产品简介

技术参数品牌:ON/安森美型号:FDN338P封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:ONSemiconductor系列:PowerTrench®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):1.6A(Ta)驱动电压(RdsOn

详情介绍


技术参数

品牌:ON/安森美
型号:FDN338P
封装:原厂封装
批号:22+
数量:5000
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
FET 类型:P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):115 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):1.5V @ 250µA
Vgs(值):±8V
功率耗散(值):500mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss):20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):6.2 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):451 pF @ 10 V
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