技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STN3NF06L |
封装: | 原厂封装 |
批号: | 22+ |
数量: | 5000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 100 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 7 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.3 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | STripFET |
高度: | 1.8 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | STN3NF06L |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 3.5 mm |
商标: | STMicroelectronics |
正向跨导 - 最小值: | 3 S |
下降时间: | 10 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 25 ns |
工厂包装数量: | 4000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 9 ns |
单位重量: | 250 mg |
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