产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NVTFS4C10NWFTAG封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:onsemi产品种类:MOSFET安装风格:SMD/SMT封装/箱体:WDFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:47ARdsOn-漏源导通电阻:5
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NVTFS4C10NWFTAG |
封装: | 原厂封装 |
批号: | 22+ |
数量: | 5000 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | WDFN-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 47 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5.9 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.3 V |
Qg-栅极电荷: | 19.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 28 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
下降时间: | 4 ns |
正向跨导 - 最小值: | 43 S |
上升时间: | 25 ns |
晶体管类型: | 18 ns |
典型关闭延迟时间: | 6 ns |
典型接通延迟时间: | 17 mg |
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