产品简介
技术参数品牌:AOS/万代型号:AOB411L封装:原厂封装批号:22+数量:5000描述:MOSFETP-CH60V8ATO263对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)原厂标准交货期:18周详细描述:表面贴装型-P-通道-60V-8A(Ta)-78A(Tc)-2
详情介绍
技术参数
品牌: | AOS/万代 |
型号: | AOB411L |
封装: | 原厂封装 |
批号: | 22+ |
数量: | 5000 |
描述: | MOSFET P-CH 60V 8A TO263 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 18 周 |
详细描述: | 表面贴装型-P-通道-60V-8A(Ta)-78A(Tc)-2.1W(Ta)-187W(Tc)-TO-263(D²Pak) |
数据列表: | AOB411L; |
标准包装: | TO263 (D2PAK) Pkg Drawing; |
包装: | 800 |
零件状态: | 标准卷带 |
类别: | 有源 |
产品族: | 分立半导体产品 |
系列: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A(Ta),78A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 16.5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 100nC @ 10V |
Vgs(值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 6400pF @ 30V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 2.1W(Ta),187W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263(D²Pak) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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