产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2300DS-T1-GE3批号:21+封装:SMD数量:10000QQ:制造商:VishaySiliconix系列:TrenchFET®FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):3.6A(Tc)驱动电压(RdsOn
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技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2300DS-T1-GE3 |
批号: | 21+ |
封装: | SMD |
数量: | 10000 |
QQ: | |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.6A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1.5V @ 250µA |
Vgs(值): | ±12V |
功率耗散(值): | 1.1W(Ta),1.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 10 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 320 pF @ 15 V |
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