产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:BSO150N03MDG批号:21+封装:SMD数量:10000QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:9
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | BSO150N03MD G |
批号: | 21+ |
封装: | SMD |
数量: | 10000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 9.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 12.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 17 nC, 17 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Dual |
高度: | 1.75 mm |
长度: | 4.9 mm |
系列: | OptiMOS 3M |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 3.9 mm |
正向跨导 - 最小值: | 12 S, 12 S |
下降时间: | 4.2 ns, 4.2 ns |
湿度敏感性: | Yes |
上升时间: | 3.8 ns, 3.8 ns |
典型关闭延迟时间: | 8.7 ns, 8.7 ns |
典型接通延迟时间: | 7.3 ns, 7.3 ns |
零件号别名: | BSO150N03MDGXUMA1 SP000447476 BSO15N3MDGXT BSO150N03MDGXUMA1 |
单位重量: | 540 mg |
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