日本滨松HAMAMATSU硅光电二极管 S1226-18BU TO-18 现货库存

Si photodiode

S1226-18BU
For UV to visible, precision photometry; suppressed near IR sensitivity
Features
- High UV sensitivity: QE＝75 % (λ=200 nm)
- Suppressed near IR sensitivity
- Low dark current
- High reliability
用于紫外到可见光的精密光度测定；抑制近红外灵敏度

特征

-高紫外灵敏度：QE＝75%（λ=200 nm）

-抑制近红外灵敏度

-低暗电流

-高可靠性

Specifications
Photosensitive area 1.1 × 1.1 mm
Number of elements 1
Package Metal
Package category TO-18
Cooling Non-cooled
Reverse voltage (max.) 5 V

Spectral response range 190 to 1000 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 720 nm
Photosensitivity (typ.) 0.36 A/W
Dark current (max.) 2 pA
Rise time (typ.) 0.15 μs
Terminal capacitance (typ.) 35 pF
Noise equivalent power (typ.) 1.6 × 10 -15 W / Hz 1/2
Measurement condition Ta=25 ℃, Typ Photosensitivity: λ=720 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz,

规格

感光面积1.1×1.1mm

单位数量1

包装：铝箔袋

包装类别：TO-18

冷却：非冷却

反向电压（值）5 V

光谱响应范围190至1000 nm

峰值灵敏度波长（典型值）720nm

光敏性（典型值）0.36 A/W

暗电流（值）2 pA

上升时间（典型值）0.15μs

终端电容（典型值）35 pF

噪声等效功率（典型值）1.6×10-15 W/Hz 1/2

测量条件Ta=25℃，典型值，光敏度：λ=720nm，暗电流：VR=10mV，端子电容：VR=0V，f=10kHz，除非另有说明

规格

感光面积1.1×1.1mm

单位数量1

包装：铝箔袋

包装类别：TO-18

冷却：非冷却

反向电压（值）5 V

光谱响应范围190至1000 nm

峰值灵敏度波长（典型值）720nm

光敏性（典型值）0.36 A/W

暗电流（值）2 pA

上升时间（典型值）0.15μs

终端电容（典型值）35 pF

噪声等效功率（典型值）1.6×10-15 W/Hz 1/2

测量条件Ta=25℃，典型值，光敏度：λ=720nm，暗电流：VR=10mV，端子电容：VR=0V，f=10kHz，除非另有说明

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刘小姐（微信同步）
2207252109