富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。
特长
实现了封装小型化和输出功率的提高!
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C时可保证连续运行
环境友好型模块
- 高装配性,支持无焊装配
- 支持RoHS(部分除外)
开关特性
- 改善噪音-损耗平衡
- 通过降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振动
H系列 产品型号 Ic(A) Vce(sat) ton toff Rth(j-c) Tc=80℃ Max(V) (us) (us) K/W 1MBI200HH-120L-50 200 3.1 0.2 0.3 - 1MBI300HH-120L-50 300 3.2 0.2 0.3 - 1MBI400HH-120L-50 400 3.1 0.2 0.4 - 2MBI100HH-120-50 100 3.6 0.6 0.6 - 2MBI150HH-120-50 150 3.7 0.6 0.6 - 2MBI200HH-120-50 200 3.6 0.6 0.6 -
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