富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。

实现了封装小型化和输出功率的提高！

• 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
• Tj max175°C、150°C时可保证连续运行

环境友好型模块

• 高装配性，支持无焊装配
• 支持RoHS（部分除外）

开关特性

• 改善噪音-损耗平衡
• 通过降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振动

富士IGBT模块 P系列IGBT采用GPT工艺制造，比PT （Punch-Through）IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服电机系统、UPS、电焊机电源等领域。
特性：
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE（SAT）与温度成正比，易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当温度升高时，其开关损耗比PT-IGBT小。因此，P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区，RBSOA（反偏安全工作区）和SCSOA（短路安全工作区）都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大简化，同时，短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。

        富士IGBT模块 P系列