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STF33N60DM2 场效应管 ST 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF33N60DM2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 17
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IRFP4321PBF 场效应管 INFINEON 封装N 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP4321PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 16
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STF33N60M2 场效应管 ST 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF33N60M2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 13 技术参数品牌：ST型号：STF33N60M2批次：20+数量：6285制造商：STMicroelectronics系列：MDmesh™IIPlusFET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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STW35N60DM2 场效应管 ST 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STW35N60DM2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 15
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IRLML2244TRPBF 场效应管 INFINEON 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRLML2244TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 15 技术参数品牌：INFINEON型号：IRLML2244TRPBF批次：21+数量：3000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET对比
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FDN327N 场效应管 ONSEMI 批次11+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDN327N 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 13
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IRF4905PBF 场效应管 INFINEON 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF4905PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 16
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IRFR7446TRPBF 场效应管 INFINEON 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFR7446TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 12
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AOTF12N50 场效应管 AOS 批次17+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 AOTF12N50 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 16 技术参数品牌：AOS型号：AOTF12N50批次：17+数量：6189制造商：Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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IRF100B202 场效应管 IR 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF100B202 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 10 技术参数品牌：IR型号：IRF100B202批次：20+数量：6283制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100VId-连续漏极电流：97ARdsOn-漏源导通电阻：7对比
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SIR878ADP-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装SO-8 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SIR878ADP-T1-GE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：VISHAY型号：SIR878ADP-T1-GE3封装：SO-8批次：21+数量：6800RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-30C工作温度：80C最小电源电压：2V电源电压：6对比
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STF26NM60N 场效应管 ST 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF26NM60N 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：ST型号：STF26NM60N批次：21+数量：6043类别：分立半导体产品晶体管-FET对比
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STF13NM60ND 场效应管 ST 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STF13NM60ND 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 10
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IRFR220NTRPBF 场效应管 IR 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFR220NTRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 12
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IRLB8314PBF 场效应管 INFINEON 封装TO-220AB 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRLB8314PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：INFINEON型号：IRLB8314PBF封装：TO-220AB批次：21+数量：22000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：171ARdsOn-漏源导通电阻：1对比
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IRF1404PBF 场效应管 INFINEON 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF1404PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：INFINEON型号：IRF1404PBF批次：21+数量：6062制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET类型：N通道25°C时电流-连续漏极(Id)：202A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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STY139N65M5 场效应管 ST 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STY139N65M5 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 14
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IPW65R080CFD 场效应管 INFINEON 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IPW65R080CFD 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：INFINEON型号：IPW65R080CFD批次：21+数量：6246制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-247-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：650VId-连续漏极电流：43对比
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AO4459 场效应管 AOS 封装N 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 AO4459 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 14 技术参数品牌：AOS型号：AO4459封装：N批次：20+数量：100RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-50C工作温度：90C最小电源电压：2对比
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IRFP4332PBF 场效应管 IR 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP4332PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 10 技术参数品牌：IR型号：IRFP4332PBF批次：20+数量：6155制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-247-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：250VId-连续漏极电流：57ARdsOn-漏源导通电阻：33mOhmsVgs-栅极-源极电压：-30V对比
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ATF-54143-TR1G 场效应管 BROADCOM 批次20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 ATF-54143-TR1G 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 11 技术参数品牌：BROADCOM型号：ATF-54143-TR1G批次：20+数量：5000对无铅要求的达标情况：无铅湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET对比
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STGF15M65DF2 场效应管 ST 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 STGF15M65DF2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 16 技术参数品牌：ST型号：STGF15M65DF2批号：21+数量：5530制造商：STMicroelectronics产品种类：IGBT晶体管RoHS：是封装/箱体：TO-220FP-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：650V集电极—射极饱和电压：1对比
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IRF7309TRPBF 场效应管 INFINEON 封装N 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF7309TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 16 技术参数品牌：INFINEON型号：IRF7309TRPBF封装：N批号：21+数量：6087制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SO-8晶体管极性：N-Channel,P-Channel通道数量：2ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：4对比
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BSS123-7-F 场效应管 DIODES 批次14+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 BSS123-7-F 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 10
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场效应管 FDW2506P 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDW2506P 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-16 浏览次数 11 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 SI1016X-T1-E3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI1016X-T1-E3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-16 浏览次数 12 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 FDMS3604S 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDMS3604S 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-16 浏览次数 11 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 NTJD4401NT1G 参考价 ￥面议
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品牌 型号 NTJD4401NT1G 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-16 浏览次数 12 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 AON6992 参考价 ￥面议
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品牌 型号 AON6992 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 15 原装自己库存现货，长期回收工厂库存 1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 FDV303N 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDV303N 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 10 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 ATF-521P8-BLK 参考价 ￥面议
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品牌 型号 ATF-521P8-BLK 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 14 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 SI2300 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI2300 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 11 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 FDV304P 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDV304P 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 12 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 FDC608PZ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDC608PZ 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 12 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 RTQ035P02TR 参考价 ￥面议
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品牌 型号 RTQ035P02TR 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 12 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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场效应管 IRLML2803TRPBF 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRLML2803TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 11 原装自己库存现货，长期回收工厂库存1.电子元器件为统一标注价价格，展示价格不能作为成交价格，购买前请于客服咨询价格和货期对比
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ON 可控硅/晶闸管 MCR100-6 DIP 20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 MCR100-6 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 10
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AOS 场效应管 AON6407 MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN 参考价 ￥面议
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品牌 型号 AON6407 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 15 技术参数品牌：AOS型号：AON6407批号：20+封装：DFN数量：50000QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET对比
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IR 场效应管 IRF4905PBF TO-220 20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF4905PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 15
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IR 场效应管 IRF540NPBF DIP 20+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRF540NPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 12
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VISHAY 场效应管 IRFP460PBF MOSFET N-Chan 500V 20 Amp 参考价 ￥面议
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品牌 型号 IRFP460PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 14 技术参数品牌：VISHAY型号：IRFP460PBF批号：20+封装：TO-3P数量：50000QQ：制造商：VishaySiliconixFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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场效应管 SI4425DDY-T1-GE3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 SI4425DDY-T1-GE3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 12 技术参数品牌：VISHAY型号：SI4425DDY-T1-GE3批号：18+封装：SOP-8数量：10000QQ：制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET类型：P通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：19.7A（Tc）驱动电压（RdsOn对比
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FDMC8651 场效应管 ON安森美 封装Power-33-8 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDMC8651 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 13 技术参数品牌：ON安森美型号：FDMC8651封装：Power-33-8批号：21+数量：10000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：Power-33-8通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：15ARdsOn-漏源导通电阻：6对比
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FDC645N 场效应管 ON安森美 封装TSOT-23-6 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDC645N 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 11 技术参数品牌：ON安森美型号：FDC645N封装：TSOT-23-6批号：21+数量：10000类别：分立半导体产品晶体管-FET对比
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HUF76423P3 场效应管 ON安森美 封装TO-220-3 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 HUF76423P3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 10
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FDMS3669S 场效应管 ON安森美 封装Power-56-8 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDMS3669S 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 10
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FDMS86350 场效应管 ON安森美 封装Power 56 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FDMS86350 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 11 技术参数品牌：ON安森美型号：FDMS86350封装：Power56批号：21+数量：10000类别：分立半导体产品晶体管-FET对比
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FCP190N65F 场效应管 ON安森美 封装TO-220-3 批次21+ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 FCP190N65F 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-15 浏览次数 11 技术参数品牌：ON安森美型号：FCP190N65F封装：TO-220-3批号：21+数量：10000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：650VId-连续漏极电流：20对比
