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MACMIC IGBT MMG100SR060UA GS 变频器电焊机产品UPS电源 参考价 ¥面议
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品牌 型号 MMG100SR060UA 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-12-07 浏览次数 6
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回收PLC模块价高专注 参考价 ¥面议
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品牌 型号 齐全 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-11-14 浏览次数 2 回收西门子施耐德三菱欧姆龙安川松下FANUC富士ABB发那科等品牌PLC模块变频器人机界面触摸屏光电传感器回收1、SIMATICS7系列PLC:S7-200、S7-1200、S7-300、S7-400、ET-200 2、逻辑控制模块LOGO!230RC、230RCO、230RCL、24RC、24RCL等 3、SITOP直流电源24VDC1对比
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回收IGBT模块价高专注 参考价 ¥面议
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品牌 型号 齐全 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-11-14 浏览次数 3 大量专注回收IGBT模块回收德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、POWERSEM、Vishay、danfoss丹佛斯、DYNEX丹尼克斯、Sanken三肯、美国IR、NELL尼尔对比
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Ampleon 封装SOT-1483-1 增益晶体管 BLP9G0722-20GZ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BLP9G0722-20GZ 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-26 浏览次数 15 概述:20W塑料LDMOS功率晶体管,用于频率为100MHz至2700MHz的基站应用对比
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FAIRCHILD 场效应管 FDPF15N65 MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDPF15N65 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-25 浏览次数 18 深圳市润泽恒达电子科技有限公司深圳市润泽恒达电子科技有限公司前身立业翔电子商行,成立近十年以来,已拥有,“圣邦微,北欧半导体NORDIC,SILICON,TI,ST等”多品牌优势渠道,更有被动器件近十年丰富的配单经验,与全国各地多个厂商形成良好的合作关系对比
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INFINEON 场效应管 SPA11N80C3 MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SPA11N80C3 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-25 浏览次数 14 深圳市润泽恒达电子科技有限公司深圳市润泽恒达电子科技有限公司前身立业翔电子商行,成立近十年以来,已拥有,“圣邦微,北欧半导体NORDIC,SILICON,TI,ST等”多品牌优势渠道,更有被动器件近十年丰富的配单经验,与全国各地多个厂商形成良好的合作关系对比
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IR 场效应管 IRFZ44NSTRLPBF TO-263 20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFZ44NSTRLPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-25 浏览次数 10
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INFINEON/英飞凌 场效应管 IRF7470TRPBF MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7470TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-25 浏览次数 10
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新洁能 场效应管 NCE0110K TO-252 20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NCE0110K 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-25 浏览次数 15
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ON/安森美 场效应管 NVTFS4C10NWFTAG MOSFET NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NVTFS4C10NWFTAG 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:NVTFS4C10NWFTAG封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:onsemi产品种类:MOSFET安装风格:SMD/SMT封装/箱体:WDFN-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:47ARdsOn-漏源导通电阻:5对比
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ST/意法半导体 场效应管 STN3NF06L MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STN3NF06L 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 5
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AOS/万代 场效应管 AO4421 表面贴装型 P 通道 60 V 6.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4421 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4421封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):6.2A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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IR/国际整流器 场效应管 IRFR1205TRPBF 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFR1205TRPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 6 技术参数品牌:IR/国际整流器型号:IRFR1205TRPBF封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:125C最小电源电压:4V电源电压:9V长度:3mm宽度:6对比
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ST/意法半导体 场效应管 STF13NM60N MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STF13NM60N 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 5
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AOS/万代 场效应管 AO4485 表面贴装型 P 通道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4485 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4485封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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AOS/万代 场效应管 AON7423 MOSFET P-CH 20V 28A 8DFN 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON7423 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 6 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON7423封装:原厂封装批号:22+数量:5000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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EPC 场效应管 EPC2016C GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE 参考价 ¥面议
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品牌 型号 EPC2016C 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 6 技术参数品牌:EPC型号:EPC2016C封装:原厂封装批号:22+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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AOS/万代 场效应管 AOTF16N50 MOSFET N-CH 500V 16A TO220F 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOTF16N50 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AOTF16N50封装:原厂封装批号:22+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:有源产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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VISHAY/威世 可控硅/晶闸管 70TPS12 SCR 1.2KV 75A SUPER-247 参考价 ¥面议
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品牌 型号 70TPS12 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 7 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:70TPS12封装:原厂封装批号:22+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶闸管-SCR电压-断态:1对比
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IR/国际整流器 场效应管 IRGS4B60KD1TRRP 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRGS4B60KD1TRRP 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 5 技术参数品牌:IR/国际整流器型号:IRGS4B60KD1TRRP封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-40C工作温度:90C最小电源电压:4V电源电压:6对比
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HAMOS/汉姆 场效应管 AUIRFS8409 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AUIRFS8409 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 6 技术参数品牌:HAMOS/汉姆型号:AUIRFS8409封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:100C最小电源电压:3对比
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FSC 场效应管 NDS9947 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NDS9947 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 5 技术参数品牌:FSC型号:NDS9947封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:90C最小电源电压:5V电源电压:7V长度:6对比
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CJ/长电 可控硅/晶闸管 PCR606 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 PCR606 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 6 技术参数品牌:CJ/长电型号:PCR606封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C工作温度:90C最小电源电压:3V电源电压:8V长度:8对比
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VISHAY/威世 可控硅/晶闸管 VS-70TPS12PBF SCR 1200 Volt 75 Amp 参考价 ¥面议
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品牌 型号 VS-70TPS12PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 2 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:VS-70TPS12PBF封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Vishay产品种类:SCRRoHS:是转折电流IBO:1对比
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EL 光电可控硅 EL3022 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 EL3022 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-24 浏览次数 3 技术参数品牌:EL型号:EL3022封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:90C最小电源电压:1V电源电压:9V长度:3对比
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ON 场效应管 2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 2N7002KT1G 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4 技术参数品牌:ON型号:2N7002KT1G封装:SOT-23批号:22+数量:5000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:380mARdsOn-漏源导通电阻:1对比
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AOS/万代 场效应管 AOT22N50L MOSFET N-CH 500V 22A TO220 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOT22N50L 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AOT22N50L封装:原厂封装批号:22+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:有源产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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INFINEON 场效应管 IRF640NPBF MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF640NPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 5
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INFINEON/英飞凌 场效应管 IRF5210PBF MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF5210PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 6
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AOS/万代 场效应管 AOB411L MOSFET P-CH 60V 8A TO263 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOB411L 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 9 技术参数品牌:AOS/万代型号:AOB411L封装:原厂封装批号:22+数量:5000描述:MOSFETP-CH60V8ATO263对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)原厂标准交货期:18周详细描述:表面贴装型-P-通道-60V-8A(Ta)-78A(Tc)-2对比
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AOS/万代 场效应管 AOD514 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOD514 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 7 技术参数品牌:AOS/万代型号:AOD514封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):17A(Ta)对比
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HAMOS/汉姆 场效应管 BSC011N03LS 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSC011N03LS 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 3 技术参数品牌:HAMOS/汉姆型号:BSC011N03LS封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:90C最小电源电压:4对比
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TI/德州仪器 场效应管 CSD16301Q2 MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD16301Q2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4
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AOS/万代 场效应管 AO3416 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3416 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 3 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3416封装:原厂封装批号:22+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:不適用於新設計产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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DIODES 场效应管 VN10LFTA MOSFET N-Ch 60V 3A 参考价 ¥面议
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品牌 型号 VN10LFTA 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4
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AOS/万代 场效应管 AON7754 表面贴装型 N 通道 30V 24A(Ta),32A(Tc) 3.1W(Ta),70W(Tc) 8-DFN(3x3) 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON7754 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 5 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON7754封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.系列:AlphaMOSFET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Ta)对比
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OTHER/其它 场效应管 AOD2610E 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AOD2610E 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 5 技术参数品牌:OTHER/其它型号:AOD2610E封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C工作温度:125C最小电源电压:2对比
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VISHAY/威世 场效应管 IRF9630PBF MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF9630PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 5 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:IRF9630PBF封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220AB-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:200VId-连续漏极电流:6对比
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ON/安森美 场效应管 NGTB40N120FL3WG IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NGTB40N120FL3WG 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 3 技术参数品牌:ON/安森美型号:NGTB40N120FL3WG封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:onsemi产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO247-3安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:1对比
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OTHER/其它 场效应管 IRF5210STRLPBF 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF5210STRLPBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4 技术参数品牌:OTHER/其它型号:IRF5210STRLPBF封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:80C最小电源电压:3V电源电压:7对比
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ON/安森美 场效应管 FDN338P 表面贴装型 P 通道 20 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDN338P 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDN338P封装:原厂封装批号:22+数量:5000制造商:ONSemiconductor系列:PowerTrench®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):1.6A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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OTHER/其它 场效应管 STGW60V60DF 原厂封装 21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STGW60V60DF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 6 技术参数品牌:OTHER/其它型号:STGW60V60DF封装:原厂封装批号:22+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:125C最小电源电压:5V电源电压:9V长度:1对比
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代理渠道 全新 FDC6333C 丝印333 SOT23-6 液晶屏常用电源芯片 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDC6333C 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-23 浏览次数 8 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDC6333C封装:SOT23-6批号:2121+数量:5000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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FZ600R12KS4HOSA1 IGBT 模块 单路 1200V 700A 3900W 底座安装 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FZ600R12KS4HOSA1 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 11
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FZ800R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 800A 3550W 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FZ800R12KE3HOSA1 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 11
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BSM200GA120DLC Infineon英飞凌原厂原装 参考价 ¥面议
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品牌 型号 BSM200GA120DLCHOSA1 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 9
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STF13N60M2 场效应管 ST 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STF13N60M2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 6 技术参数品牌:ST型号:STF13N60M2批次:21+数量:6042对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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STF33N60DM2 场效应管 ST 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STF33N60DM2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-18 浏览次数 8
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IRFP4321PBF 场效应管 INFINEON 封装N 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFP4321PBF 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 6
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STF33N60M2 场效应管 ST 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 STF33N60M2 类型 绝缘栅双极晶体管/IGBT 厂商性质 其他 更新时间 2023-10-17 浏览次数 7 技术参数品牌:ST型号:STF33N60M2批次:20+数量:6285制造商:STMicroelectronics系列:MDmesh™IIPlusFET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):26A(Tc)驱动电压(RdsOn对比