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SI7911DN-T1-E3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI7911DN-T1-E3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-15 浏览次数 7 技术参数品牌:VISHAY型号:SI7911DN-T1-E3批号:21+封装:QFN-8数量:18000QQ:描述:MOSFET2P-CH20V4对比
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IR/VISHAY MOS管 场效应管 可控硅 IRF820PBF TO220 20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF820PBF TO220 20+ 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-15 浏览次数 3
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FGH40T120SMD 场效应管 ON 封装TO247 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FGH40T120SMD 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-14 浏览次数 4 技术参数品牌:ON型号:FGH40T120SMD封装:TO247批次:20+数量:4500制造商:ONSemiconductor产品种类:IGBT晶体管RoHS:是封装/箱体:TO-247-3L安装风格:ThroughHole配置:Single集电极—发射极电压VCEO:1200V集电极—射极饱和电压:1对比
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场效应管 SI1012R-T1-GE3 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI1012R-T1-GE3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-14 浏览次数 4 技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SI1012R-T1-GE3封装:SMD批次:10+数量:1200对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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IRFP460APBF IRFP460A 出售原装 场效应管TO220 深圳现货供应 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFP460APBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-12 浏览次数 4 标准包装500FET型MOSFETN-Channel,MetalOxideFET特点Standard漏极至源极电压(VDSS)500V电流-连续漏极(编号)@25°C20ARds()@ID对比
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CSD16321Q5 SON-8贴片场效应MOSFET实物拍摄N沟道CSD16321 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD16321Q5 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-12 浏览次数 2 温馨提示:1.产品图片为形象图片,以实物为准;2.网上报价仅供参考,根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!3.产品参数请以数据为准!本公司拥有CSD配单员工,可以帮助厂方配置各种电子元件单,采购方案对比
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AO3414 场效应管 AOS/万代 封装SOT23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3414 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3414封装:SOT23批次:21+数量:9500制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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FQB5N90TM 场效应管 ON/安森美 封装TO263 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FQB5N90TM 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FQB5N90TM封装:TO263批次:20+数量:6000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRFH9310TRPBF 场效应管 IR 封装PQFN5X6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRFH9310TRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:IR型号:IRFH9310TRPBF封装:PQFN5X6批次:21+数量:5000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PQFN-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:21ARdsOn-漏源导通电阻:4对比
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FDN306P 场效应管 ON/安森美 封装SOT23-3 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDN306P 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDN306P封装:SOT23-3批次:21+数量:9500制造商:ONSemiconductor系列:PowerTrench®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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SI1012CR-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装SOT-523 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI1012CR-T1-GE3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:VISHAY型号:SI1012CR-T1-GE3封装:SOT-523批次:21+数量:5000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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NTR4502PT1G 场效应管 ON/安森美 封装SOT23 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTR4502PT1G 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:NTR4502PT1G封装:SOT23批次:20+数量:9000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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AON6403 场效应管 AOS/万代 封装DFN5x6 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON6403 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 6
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IRF7805ZTRPBF 场效应管 IR 封装SOP 批次17+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7805ZTRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 2 技术参数品牌:IR型号:IRF7805ZTRPBF封装:SOP批次:17+数量:2500类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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FDMC3612 场效应管 ON/安森美 封装MLP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC3612 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMC3612封装:MLP8批次:21+数量:5000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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NTR4501NT1G 场效应管 ON/安森美 封装SOT23 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTR4501NT1G 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 6 技术参数品牌:ON/安森美型号:NTR4501NT1G封装:SOT23批次:20+数量:9000制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:3对比
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AO6604 场效应管 AOS/万代 封装TSOP6 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO6604 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO6604封装:TSOP6批次:21+数量:6000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:有源产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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FDMC7678 场效应管 ON/安森美 封装MLP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMC7678 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 2 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMC7678封装:MLP8批次:21+数量:9500制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Power-33-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:17对比
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AO4854 场效应管 AOS/万代 封装SOP8 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4854 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 1 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4854封装:SOP8批次:20+数量:6000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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IRLR8726TRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 封装TO252 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRLR8726TRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRLR8726TRPBF封装:TO252批次:20+数量:6000制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):86A(Tc)驱动电压(RdsOn对比
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AO3413 场效应管 AOS/万代 封装SOT23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO3413 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO3413封装:SOT23批次:21+数量:9500对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:有源产品族:分立半导体产品系列:晶体管-FET对比
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IRLML6401TRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 封装SOT23-5 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRLML6401TRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRLML6401TRPBF封装:SOT23-5批次:21+数量:9500制造商:InfineonTechnologies系列:HEXFET®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):4.3A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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CSD19538Q3A 场效应管 TI/德州仪器 封装VSONP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD19538Q3A 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD19538Q3A封装:VSONP8批次:21+数量:2500制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSONP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:14对比
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NTR4101PT1G 场效应管 ON/安森美 封装SOT23-3 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTR4101PT1G 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:NTR4101PT1G封装:SOT23-3批次:20+数量:9500类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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NTA4153NT1G 场效应管 ON/安森美 封装SOT416 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NTA4153NT1G 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 6
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SI4800BDY-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装SOIC-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI4800BDY-T1-GE3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:VISHAY型号:SI4800BDY-T1-GE3封装:SOIC-8批次:21+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-30C工作温度:90C最小电源电压:2V电源电压:9对比
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2N7000TA 场效应管 ON/安森美 封装TO92 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 2N7000TA 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:ON/安森美型号:2N7000TA封装:TO92批次:20+数量:3000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-92-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:200mARdsOn-漏源导通电阻:1对比
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FDS6990AS 场效应管 ON/安森美 封装SOP 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDS6990AS 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDS6990AS封装:SOP批次:20+数量:9000类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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FDMS86101 场效应管 ON/安森美 封装POWER56 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDMS86101 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:ON/安森美型号:FDMS86101封装:POWER56批次:20+数量:5600制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:Power-56-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:12对比
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AO4447A 场效应管 AOS/万代 封装SOP8 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4447A 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 2 技术参数品牌:AOS/万代型号:AO4447A封装:SOP8批次:20+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-50C工作温度:130C最小电源电压:2对比
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CSD19533Q5A 场效应管 TI 封装VSONP-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD19533Q5A 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:TI型号:CSD19533Q5A封装:VSONP-8批次:21+数量:6000制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSONP-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:9对比
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SIR464DP-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装QFN-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SIR464DP-T1-GE3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 2 技术参数品牌:VISHAY型号:SIR464DP-T1-GE3封装:QFN-8批次:21+数量:5000RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-10C工作温度:100C最小电源电压:5V电源电压:6对比
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CSD18533Q5A 场效应管 TI/德州仪器 封装SON8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 CSD18533Q5A 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD18533Q5A封装:SON8批次:21+数量:7500类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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NX7002BKR 场效应管 NEXPERIA/安世 封装SOT-23 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NX7002BKR 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 2 技术参数品牌:NEXPERIA/安世型号:NX7002BKR封装:SOT-23批次:21+数量:5000制造商:Nexperia产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:270mARdsOn-漏源导通电阻:2对比
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SI7145DP-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装QFN 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 SI7145DP-T1-GE3 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:VISHAY型号:SI7145DP-T1-GE3封装:QFN批次:21+数量:5000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET对比
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NDS351AN 场效应管 ON/安森美 封装SOT23 批次18+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 NDS351AN 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 3 技术参数品牌:ON/安森美型号:NDS351AN封装:SOT23批次:18+数量:9000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SSOT-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:1对比
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IRF7317TRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 封装SOP-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7317TRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 1 技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRF7317TRPBF封装:SOP-8批次:21+数量:6000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel,P-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:6对比
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IRF7842TRPBF 场效应管 IR 封装SOP8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF7842TRPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 4 技术参数品牌:IR型号:IRF7842TRPBF封装:SOP8批次:21+数量:9500类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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AON6242 场效应管 AOS/万代 封装DFN5X6 批次20+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AON6242 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 1 技术参数品牌:AOS/万代型号:AON6242封装:DFN5X6批次:20+数量:6000制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):18.5A(Ta)对比
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ON 场效应管 2N7002LT1G MOSFET 60V 115mA N-Channel 参考价 ¥面议
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品牌 型号 2N7002LT1G 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-11 浏览次数 5
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IRF4905PBF 场效应管 Infineon 封装TO-220 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF4905PBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-10 浏览次数 7
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FDG6304P 场效应管 ON 封装SOT353 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 FDG6304P 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-10 浏览次数 6 技术参数品牌:ON型号:FDG6304P封装:SOT353批次:21+数量:9523类别:分立半导体产品晶体管-FET对比
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IRF540NPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 封装TO-220 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 IRF540NPBF 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-10 浏览次数 5
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AO4421 场效应管 AOS 封装SOP-8 批次21+ 参考价 ¥面议
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品牌 型号 AO4421 类型 光电二极管 厂商性质 其他 更新时间 2023-08-10 浏览次数 7 技术参数品牌:AOS型号:AO4421封装:SOP-8批次:21+数量:96520制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):6.2A(Ta)驱动电压(RdsOn对比
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